制造商零件编号：IRF620

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 200V 6A TO-220

系列：PowerMESH II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：350pF @ 25V

功率 - 最大值：70W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

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