制造商零件编号：STD10P6F6

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET P CH 60V 10A DPAK

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 5A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：340pF @ 48V

功率 - 最大值：35W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

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