技术资料
原厂标准完整型号: STD16N60M2
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
系列: MDmesh M2
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 12A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 320 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 700pF @ 100V
功率 - 最大值: 110W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: DPAK
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