制造商零件编号：STD26P3LLH6

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET P-CH 30V 12A DPAK

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1450pF @ 25V

功率 - 最大值：40W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：DPAK

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