制造商零件编号：STE110NS20FD

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

系列：MESH OVERLAY?/p>

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：110A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：504nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7900pF @ 25V

功率 - 最大值：500W

安装类型：底座安装

封装/外壳：ISOTOP

供应商器件封装：ISOTOP

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