技术资料
制造商零件编号:STF6N65M2
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
系列:MDmesh?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.35 欧姆 @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):226pF @ 100V
功率 - 最大值:20W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP
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