制造商零件编号：STGB20NB37LZT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 425V 40A 200W D2PAK

系列：PowerMESH?/p>

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：425V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A

Current - Collector Pulsed (Icm)：80A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 4.5V，20A

功率 - 最大值：200W

Switching Energy：11.8mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：51nC

25°C 时 Td（开/关）值：2.3?s/2?s

Test Condition：250V，20A，1 千欧，4.5V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

专业从事代理分销ST意法半导体STGB20NB37LZT4,常备STGB20NB37LZT4大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.