技术资料
制造商零件编号:STGD18N40LZT4
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK
系列:PowerMESH?/p>
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):420V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25A
Current - Collector Pulsed (Icm):40A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 4.5V,10A
功率 - 最大值:125W
Switching Energy:-
输入类型:逻辑
Gate Charge:29nc
25°C 时 Td(开/关)值:650ns/13.5?s
Test Condition:300V, 10A, 5V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:D-Pak
专业从事代理分销ST意法半导体STGD18N40LZT4,常备STGD18N40LZT4大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50