技术资料
制造商零件编号:STGD3NB60HDT4
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK
系列:PowerMESH?/p>
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A
Current - Collector Pulsed (Icm):24A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V,3A
功率 - 最大值:50W
Switching Energy:33?J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:21nC
25°C 时 Td(开/关)值:5ns/53ns
Test Condition:480V, 3A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):95ns
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:D-Pak
专业从事代理分销ST意法半导体STGD3NB60HDT4,常备STGD3NB60HDT4大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50