制造商零件编号：STGD5NB120SZ-1

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 10A 75W DPAK

系列：PowerMESH?/p>

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10A

Current - Collector Pulsed (Icm)：10A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，5A

功率 - 最大值：75W

Switching Energy：2.59mJ （开）， 9mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：690ns/12.1?s

Test Condition：960V, 5A, 1 千欧, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-Pak

专业从事代理分销ST意法半导体STGD5NB120SZ-1,常备STGD5NB120SZ-1大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.