技术资料
制造商零件编号:STGD6NC60H-1
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK
系列:PowerMESH?/p>
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):15A
Current - Collector Pulsed (Icm):21A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.5V @ 15V,3A
功率 - 最大值:62.5W
Switching Energy:20?J (开), 68?J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:13.6nC
25°C 时 Td(开/关)值:12ns/76ns
Test Condition:390V, 3A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
安装类型:通孔
供应商器件封装:IPAK (TO-251)
专业从事代理分销ST意法半导体STGD6NC60H-1,常备STGD6NC60H-1大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50