技术资料
制造商零件编号:STGF12NB60KD
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 600V 14A 30W TO220FP
系列:PowerMESH?/p>
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):14A
Current - Collector Pulsed (Icm):60A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.8V @ 15V,12A
功率 - 最大值:30W
Switching Energy:152?J (开), 258?J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:54nC
25°C 时 Td(开/关)值:25ns/96ns
Test Condition:480V, 12A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):37ns
封装/外壳:TO-220-3 整包
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
专业从事代理分销ST意法半导体STGF12NB60KD,常备STGF12NB60KD大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50