制造商零件编号：STGFW30H65FB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 60A 58W TO3PF

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：58W

Switching Energy：151?J （开）， 293?J （关）

输入类型：标准

Gate Charge：149nC

25°C 时 Td（开/关）值：37ns/146ns

Test Condition：400V, 30A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3PF-3

专业从事代理分销ST意法半导体STGFW30H65FB,常备STGFW30H65FB大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.