技术资料
制造商零件编号:STGW15M120DF3
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 1200V 30A 259W
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A
Current - Collector Pulsed (Icm):60A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.3V @ 15V,15A
功率 - 最大值:259W
Switching Energy:550?J(开),850?J(关)
输入类型:标准
Gate Charge:226nC
25°C 时 Td(开/关)值:26ns/122ns
Test Condition:600V, 15A, 22 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):270ns
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
专业从事代理分销ST意法半导体STGW15M120DF3,常备STGW15M120DF3大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50