技术资料
制造商零件编号:STGW60H65DRF
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 650V 120A 420W TO247
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):120A
Current - Collector Pulsed (Icm):240A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,60A
功率 - 最大值:420W
Switching Energy:940?J (开), 1.06mJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:217nC
25°C 时 Td(开/关)值:85ns/178ns
Test Condition:400V, 60A, 10 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):19ns
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
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