制造商零件编号：STGW60H65F

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 120A 360W TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120A

Current - Collector Pulsed (Icm)：240A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，60A

功率 - 最大值：360W

Switching Energy：750?J （开）， 1.05mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：217nC

25°C 时 Td（开/关）值：65ns/180ns

Test Condition：400V, 60A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

专业从事代理分销ST意法半导体STGW60H65F,常备STGW60H65F大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.