技术资料
制造商零件编号:STGW60H65FB
制造商:STMicroelectronics
描述:IGBT 650V 80A 375W TO247
系列:-
IGBT 类型:沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80A
Current - Collector Pulsed (Icm):240A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.3V @ 15V,60A
功率 - 最大值:375W
Switching Energy:1.09mJ (开), 626?J (关)
输入类型:标准
Gate Charge:306nC
25°C 时 Td(开/关)值:51ns/160ns
Test Condition:400V, 60A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
专业从事代理分销ST意法半导体STGW60H65FB,常备STGW60H65FB大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50