原厂标准完整型号: STGW80H65DFB-4

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: IGBT BIPO 650V 80A TO247

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 120A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 240A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2V @ 15V，80A

功率 - 最大值: 469W

开关能量: 2.1mJ（开），1.5mJ（关）

输入类型: 标准

栅极电荷: 414nC

25°C 时 Td（开/关）值: 84ns/280ns

测试条件: 400V，80A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 85ns

封装/外壳: TO-247-3

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247

专业从事代理分销ST意法半导体STGW80H65DFB-4,常备STGW80H65DFB-4大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.