技术资料
原厂标准完整型号: STGWA25H120DF2
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3
系列: -
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 50A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 100A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.6V @ 15V,25A
功率 - 最大值: 375W
开关能量: 600μJ(开),700μJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 100nC
25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/130ns
测试条件: 600V,25A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 303ns
封装/外壳: TO-247-3
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
专业从事代理分销ST意法半导体STGWA25H120DF2,常备STGWA25H120DF2大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50