制造商零件编号：STGWT40H65DFB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A

Current - Collector Pulsed (Icm)：160A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，40A

功率 - 最大值：283W

Switching Energy：498?J （开）， 363?J （关）

输入类型：标准

Gate Charge：210nC

25°C 时 Td（开/关）值：40ns/142ns

Test Condition：400V, 40A, 5 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：62ns

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P

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