制造商零件编号：STGWT60H65FB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80A

Current - Collector Pulsed (Icm)：240A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 15V，60A

功率 - 最大值：375W

Switching Energy：1.09mJ （开）， 626?J （关）

输入类型：标准

Gate Charge：306nC

25°C 时 Td（开/关）值：51ns/160ns

Test Condition：400V, 60A, 5 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-3P

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