制造商零件编号：STH210N75F6-2

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2

系列：DeepGATE， STripFET VI

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：75V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 90A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：171nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11800pF @ 25V

功率 - 最大值：300W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：H?PAK

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