技术资料
原厂标准完整型号: STH275N8F7-2AG
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
系列: 自动,AEC-Q101,STripFET F7
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 180A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2.1 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 193nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 13600pF @ 50V
功率 - 最大值: 315W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型
供应商器件封装: H2Pak-2
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