技术资料
制造商零件编号:STI150N10F7
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
系列:STripFET?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):110A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):117nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8115pF @ 50V
功率 - 最大值:250W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I?Pak,TO-262AA
供应商器件封装:I2PAK(TO-262)
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