制造商零件编号：STI25NM60ND

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

系列：FDmesh?II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 10.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2400pF @ 50V

功率 - 最大值：160W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I?Pak，TO-262AA

供应商器件封装：I2PAK

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