技术资料
原厂标准完整型号: STL16N65M2
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT
系列: MDmesh M2
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7.5A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 395 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 19.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 718pF @ 100V
功率 - 最大值: 56W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PowerFlat(5x6)
专业从事代理分销ST意法半导体STL16N65M2,常备STL16N65M2大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50