制造商零件编号：STL4N10F7

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT

系列：DeepGATE， STripFET VII

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.5A（Ta），18A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 2.25A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：408pF @ 50V

功率 - 最大值：2.9W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerVDFN

供应商器件封装：PowerFlat（3.3x3.3）

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