技术资料
原厂标准完整型号: STP160N4LF6
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
系列: DeepGATE,STripFET VI
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 120A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2.9 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250μA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 181nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 8130pF @ 20V
功率 - 最大值: 150W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
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