技术资料
制造商零件编号:STP200N4F3
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
系列:STripFET?/p>
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.4毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5100pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220-3
专业从事代理分销ST意法半导体STP200N4F3,常备STP200N4F3大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.
购买ST(意法半导体)芯片可信赖的ST代理商 | 网站经营许可备案号:粤ICP备14074892号-50