制造商零件编号：STP23NM60N

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 19A TO-220

系列：MDmesh II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2050pF @ 50V

功率 - 最大值：150W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

专业从事代理分销ST意法半导体STP23NM60N,常备STP23NM60N大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.