技术资料
原厂标准完整型号: STS5P3LLH6
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
系列: DeepGATE,STripFET H6
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 56 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 639pF @ 25V
功率 - 最大值: 2.7W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
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