制造商零件编号：STU1HN60K3

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

系列：SuperMESH3?/p>

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 600mA， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：140pF @ 50V

功率 - 最大值：27W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

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