制造商零件编号：STU6N65M2

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

系列：MDmesh?/p>

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：650V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.35 欧姆 @ 2A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.8nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：226pF @ 100V

功率 - 最大值：60W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB

供应商器件封装：IPAK （TO-251）

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