制造商零件编号：STU8NM60ND

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

系列：FDmesh?II

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：600V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：560pF @ 50V

功率 - 最大值：70W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

专业从事代理分销ST意法半导体STU8NM60ND,常备STU8NM60ND大量现货,提供订货和技术资料查询等服务.