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射频晶体管 · ST意法半导体功率分立器件和模块产品

ST 射频晶体管

射频晶体管

意法半导体提供了大量RF LDMOS和DMOS功率晶体管,其面向频率为1 MHz ~ 2 GHz的应用,例如商业和公共安全、FM广播及工业、科技和医疗应用。 它们提供多种封装选项,从SMD塑料封装到陶瓷和STAC气腔封装,加强了热性能,提升了射频性能,实现了同类中最佳的可靠性。

 

射频DMOS晶体管

意法半导体提供了大量工作电源电压范围为28~300 V的RF DMOS晶体管。它们面向频率为1~250 MHz的应用,具有峰值功率(高达1.2 kW)高和稳定性高(无穷:1 VSWR)的特点。

目标应用包括:

RF等离子体发生器

激光驱动器

RF加热

磁共振成像(MRI)

HF收发器

FM广播

射频LDMOS晶体管

意法半导体提供了大量工作电源电压范围为7~36 V的RF LDMOS晶体管。它们面向频率为1 MHz ~ 2 GHz的应用,具有峰值功率(高达350 W)高和稳定性高(20:1 VSWR)的特点。

目标应用包括:

商业和公共安全

政府宽带通信

航海用无线电

L-波段卫星上行链路

模拟和数字基站

射频双极晶体管

意法半导体面向HF/VHF和UHF应用的RF双极晶体管属于成熟产品,建议不要用于新设计。 对于新设计,敬请查看LDMOS或DMOS产品系列。


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